Память 3D Xpoint в 1000 раз быстрее NAND

[alexsf]

Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

,
                                               
Компании Intel и Micron You are not allowed to view links. Register or Login энергонезависимую память 3D Xpoint (читается как «кросс-поинт»), которую позиционируют, как первую на рынке память «нового типа» с 1989 года. Новые чипы в ближайшее время должны существенно ускорить работу всего, начиная от сотовых телефонов и заканчивая суперкомпьютерами.

При создании 3D Xpoint было решено отказаться от обычных транзисторов, которые используются в большинстве современной флеш-памяти. Вместо этого архитектура памяти выстроена в виде трехмерной шахматной доски, на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий. Адресация может производиться к каждой отдельной ячейке, индивидуально, что существенно повышает скорость чтения\записи, и в целом оптимизирует работу памяти. Так обыкновенная память NAND потребует перезаписи целого блока ячеек, когда на деле изменить нужно лишь одну.

Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

Благодаря возможности адресации к каждой отдельной ячейке, чипы 3D Xpoint на три порядка (примерно в 1000 раз) быстрее памяти NAND. Кроме того, срок службы новой разработки в 1000 раз дольше, а плотность 3D Xpoint превосходит память DRAM в 10 раз.

Хотя Intel и Micron утверждают, что разработка будет полезна в промышленном секторе и пригодится компаниям, которые работают с большими объемами данных, простые пользователи и потребительский рынок тоже смогут ощутить преимущества 3D Xpoint. Производство новой резистивной памяти (ReRAM) стартует уже в текущем году, а продажи в начале 2016 года.

You are not allowed to view links. Register or Login