Новости:

You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

Обсуждение, наболевшее, предложения.

Главное меню
avatar_Grafff

В США придумали магнитно-акустический транзистор без электронов

Автор Grafff, 21-10-2026, 08:49

« назад - далее »

0 Пользователи и 1 гость просматривают эту тему.

GrafffTopic starter

В США придумали магнитно-акустический транзистор без электронов — он обещает ускорить вычисления в 1000 раз

Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

Уменьшение размеров транзисторов неизбежно ведёт к росту утечек тока из-за туннелирования электронов даже через закрытые переходы. Это и другие факторы вскоре могут остановить развитие токовой электроники, тогда как потребность в вычислительных мощностях продолжит расти. На этот случай в США разработали принципиально иной транзистор, работающий на основе магнитно-акустических волн.

Разработка ведётся совместно усилиями учёных Мичиганского университета (University of Michigan) и Университета Висконсина (University of Wisconsin). Если от транзисторов нельзя отказаться в принципе, говорят исследователи, поскольку на них построены вся существующая вычислительная архитектура и алгоритмы, то нужно просто заменить обычные транзисторы устройствами, работающими по иному принципу — не на основе тока (движения электронов).

Задел по новой разработке оказался настолько перспективным, что проект получил финансирование в районе $6 млн от Управления перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США (DARPA) в рамках программы Fast and Curious. Разрабатываемое устройство назвали M3BOLT. Это аббревиатура от названия проекта Multiferroic Magnetoelectric–Magnetoacoustic Beyond-charge Logic via Tunable Transmission, что по-русски можно перевести как «Логика за пределами переноса заряда на основе мультиферроидных магнитоэлектрических и магнитоакустических эффектов с управляемой передачей сигналов».

Принцип работы нового транзистора основан на использовании магнитных и звуковых волн вместо обычного переноса электронов. Такая альтернатива по прикидкам будет способна повысить скорость вычислений в 100–1000 раз и существенно снизит энергопотребление.

Основой M3BOLT служит многослойная структура из двух материалов с различными физическими свойствами. Нижний слой — сегнетоэлектрический кристалл PMN-PT (ферроэлектрик в англоязычной литературе), представляющий собой соединение ниобата магния-свинца и титаната свинца. Сверху размещается тонкая плёнка магнитного сплава железа и галлия (FeGa).

Под действием электрического поля атомы в сегнетоэлектрическом слое смещаются, передавая механическую деформацию верхнему магнитному слою FeGa. В результате в магнитном слое изменяется ориентация магнитных моментов, и по плёнке распространяются магнитные волны. Это происходит за счёт согласованных колебаний магнонов — квантов возбуждения спиновой волны. Таким образом, информация передаётся без перемещения электронов и вообще без использования электрического заряда.

Для представления данных в виде привычных нулей и единиц разработчики предлагают использовать два состояния материала. В одном случае магнитные моменты колеблются, формируя магнонную волну, что соответствует единице. В другом их ориентация изменяется так, что магнитные колебания подавляются и вместо них распространяются акустические возмущения — фононная волна.

Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

По замыслу авторов, волновые процессы смогут работать на частотах терагерцового диапазона, тогда как современные процессоры используют тактовые частоты порядка нескольких гигагерц. Дополнительное преимущество — возможность сохранять ориентацию магнитных моментов после отключения питания, благодаря чему один и тот же материал потенциально сможет выполнять функции вычислительного элемента и энергонезависимой памяти. По сути речь идёт о вычислениях в памяти — это тоже важная технология для продвижения по шкале производительности и энергоэффективности вычислений.

Проект M3BOLT находится на ранней стадии разработки. Команда под руководством из Мичиганского университета занимается проектированием устройства и логических схем, тогда как группа из Университета Висконсина в Мадисоне будет моделировать физические процессы, влияние дефектов материалов и особенности пограничных состояний между слоями.

В свою очередь, DARPA в рамках программы Fast and Curious ставит перед разработчиками более широкую задачу — создать логические схемы, превосходящие современные решения на основе CMOS по энергоэффективности как минимум в 100 раз. Сами разработчики верят, что новый транзистор сможет в 1000 раз превзойти современные аналоги. Это ещё предстоит проверить на практике, однако раньше середины 2030-х годов конкретных результатов никто не обещает.

Источник:
EurekAlert
Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login

Guests are not allowed to view images in posts, please You are not allowed to view links. Register or Login or You are not allowed to view links. Register or Login


You are not allowed to view links. Register or Login

🡱 🡳

* Ваши права в разделе

  • Вы не можете создавать новые темы.
  • Вы не можете отвечать в темах.
  • Вы не можете прикреплять вложения.
  • Вы не можете изменять свои сообщения.