Девять лет назад компания SanDisk начала разработку секретной оперативной памяти 3D Matrix Memory по типу 3D NAND. Подобной памяти ждут все, чтобы за те же деньги получить намного больше бит с каждого кристалла DRAM. И хотя SanDisk говорит о впечатляющем прогрессе, компания не спешит начинать производство революционных чипов. Просто её время ещё не пришло, говорит руководство.

Как сообщил технический директор SanDisk Алпер Илкбахар (Alper Ilkbahar) на мероприятии Investor Day 2026, впервые на 300-мм пластинах были изготовлены чипы 3D Matrix Memory и упакованы в корпуса для дальнейших испытаний. В ходе тестов удалось продемонстрировать работоспособность отдельных областей памяти объёмом несколько гигабит, а уровень производительности, по словам руководства, уже очень близок к запланированным спецификациям конечного продукта. Годом ранее на той же сцене Илкбахар уже рассказывал об этой технологии, исследования которой ведутся с 2017 года.

По сути, 3D Matrix Memory представляет собой потенциальную альтернативу DRAM с трёхмерной структурой, которая должна обеспечить сопоставимую производительность при кратно большей ёмкости. Конечная цель — снизить стоимость бита вдвое по сравнению с DRAM. За прошедший год, опираясь на тестовый образец, созданный совместно с исследовательским партнёром — бельгийским центром IMEC, компания добилась устойчивого прогресса: прототипы производятся на стандартном оборудовании для 300-мм пластин и делается это в рамках стековой компоновки памяти в несколько уровней.


Несмотря на обнадёживающие результаты, Илкбахар подчеркнул, что до возможного выхода на рынок ещё очень далеко. «Работа продолжается, но это проект с далёким по времени горизонтом. Мы будем держать вас в курсе прогресса», — заявил он. При этом обновлённый план, если его можно так назвать, не содержит никаких конкретных сроков следующих этапов. В своё время компания обещала начать выпуск 32–64-Гбит чипов 3D Matrix Memory, но не называла каких-либо дат.

Добавим, что нет полной ясности о типе ячейки 3D Matrix Memory. Большинство экспертов склоняются к мысли, что это память типа PCM на основе фазового перехода вещества в ячейке. Подобную память компания SanDisk разрабатывала вместе с Intel в рамках проекта 3D XPoint. Как вариант, это может быть память типа ReRAM. В своё время компания Western Digital, которая позже купила SanDisk, занималась разработкой памяти типа ReRAM с компанией 4DS. В любом случае компания SanDisk избегает разговоров на эту тему.

Источник: ComputerBase