00:00:00

Автор Тема: Массовое производство модулей DDR5 SDRAM запущено  (Прочитано 306 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.


  • Хозяин сайта
  • Гл. Администратор
  • *****
  • ru

<---Информация--->

  • Сообщений: 66426
  • Регистрация: 29-03-2010
  • Возраст: 57
  • Расположение: Крым
  • Спасибо за пост:
  • -Сказал(а) спасибо: 84747
  • -Поблагодарили: 152071
  • Награды За 50 000 сообщений Главному Админу Новостнику форума Ключнику форума За активность в разделе Игры За активность в разделе Софт За активность в разделе Киноиндустрия За активность в разделах Книги и Аудио-книги За активность в разделе Музыка За активность в разделе Кулинария Тем, кто привел пользователей на наш форум За искрометный юмор
    • Награды
https://i.postimg.cc/fbt2hFfs/sm-12-750.jpg
Массовое производство модулей DDR5 SDRAM запущено: в Сети появились фото серийных модулей

Производство DDR5 набирает обороты: несколько производителей уже завершили свой дизайн для массового выпуска оперативной памяти следующего поколения. Этот стандарт поддерживается грядущими платформами Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Китайская компания Jiahe Jinwei, суббренд Longsys, объявила о сходе со своей сборочной линии на заводе в Шэньчжэне первой партии модулей памяти DDR5. Модули уже производятся серийно и поступят в продажу вместе с платформами следующего поколения от Intel и AMD. Как ожидается, Intel будет играть главную скрипку в продвижении DDR5 с помощью своих материнских плат на базе чипсета Z690 для Intel Core 12-го поколения.

Запечатлённая на фотографиях пара модулей с зелёной печатной платой выпущена Jiahe Jinwei, тогда как на другом снимке, опубликованном каналом [Ссылки могут видеть только зарегистрированные пользователи. ], приведены планки памяти от другого производителя, использующие чёрную PCB.

https://i.postimg.cc/Jz93jhjw/sm-11-750.jpg

Наиболее непривычная и заметная особенность обоих модулей U-DIMM, помимо компоновки чипов DRAM, — встроенная схема управления питанием, которая призвана получать напряжение 5 В от материнской платы и более эффективно передавать его на чипы DRAM, чем в случае DDR4. Благодаря размещению компонентов преобразования напряжения на самом модуле, будут снижены потери тока и помехи, что даст больше возможностей для разгона.

Партия модулей памяти DDR5 от Jiahe Jinwei отличается частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В, но и более высокими задержками: тайминги установлены на CL40-40-40. Каждая планка отличается ёмкостью 16 Гбайт, но проектируются уже DDR5 DIMM объёмом 32 Гбайт. Память имеет встроенный код коррекции ошибок (ECC) и отличается от DDR4 более низким энергопотреблением и повышенной стабильностью. Также один модуль сможет работать в двухканальном режиме для повышения производительности.

https://i.postimg.cc/JnKBY7Hz/sm-10-750.jpg

В будущем появятся и более быстрые модули — производители сообщают о теоретической возможности достижения частоты более 10 ГГц в экстремальном разгоне. Учитывая, что DDR4 с разгоном достигает скорости более 7 ГГц, новая вершина не кажется непреодолимым препятствием для чипов памяти следующего поколения, выпускаемых на фабриках SK Hynix и Micron.

[Ссылки могут видеть только зарегистрированные пользователи. ]

 


* Ваши права в разделе

  • Вы не можете создавать новые темы.
  • Вы не можете отвечать в темах.
  • Вы не можете прикреплять вложения.
  • Вы не можете изменять свои сообщения.